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EEPROM
EEPROM 的全称是“电可擦除可编程只读存储器”。狭义的 EEPROM 可以随机访问修改任何一个字节，可以往每个 bit 中写入 0 或者 1，容量很少超过 512KB。
Flash
广义的 EEPROM 称为 Flash，其擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位（简化了电路），数据密度更高，容量在 1 MB 以上。可分为 nor flash 和 nand flash：
nor flash
数据线和地址线分开（像 RAM 一样随机寻址，读取任何一个字节）
几兆字节
成本高
寿命低
坏块导致不可用
nand flash
数据线和地址线复用（读取速度慢，按页寻址，通常一次性读取 512 字节）
数十兆字节
成本低
寿命高
可标记坏块
用户不能直接运行 nand flash 上的代码，嵌入式系统多用一个小容量的 nor flash 存储引导代码，用一个大容量的 nand flash 存放文件系统和内核。
Nand Flash 是存储芯片，而 SD 卡是将 Nand Flash 芯片叠加到一起，扩大容量，同时添加管理系统芯片。Nand Flash是不可以直接使用的，需要驱动程序，SD则自带驱动程序，直接可用。
TF 卡
t-Flash，又称为 micro SD，使用 NAND MLC 技术以及控制器技术。
MMC
非遗失性存储部件。有 MMC 模式和 SPI 模式。有 7 个 PIN，比 SD 卡少两个 PIN。
eMMC(embedded multi media card)
主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
SRAM —— cache。
静态随机存储器。当数据被存入其中后不会消失。速度较快。存储 1bit 信息需要 4-6 只晶体管。更加省电。造价更加昂贵，容量小。
DRAM —— 计算机内存。（FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM（同步 DRAM）、DDR RAM、RDRAM、SGRAM、WRAM）
动态随机存储器。必须在一定时间内不停刷新才能保持其中的数据。速度较慢。只需要一只晶体管。便宜。容量大。
DDR RAM：也称为 DDR SDRAM（双通道同步动态 RAM），与 SDRAM 类似，不过它可以在一个时钟读写两次数据，这样使得数据传输速度加快了，目前使用的最多的一种内存形式。
SRAM 不应该与 SDRAM 相混淆，SDRAM 代表 同步（Synchronous，读写数据需要时钟同步）DRAM，与S（static）RAM 是不同的。
