DDR3 和 DDR4 的豁口不一样，主板所支持的 DDR 类型不同。
DDR SRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)：双倍数据率同步动态随机存取存储器，
Channel、DIMM、Rank、Chip、Bank、Row/Column
勘误：非 32bit，8bit。rowbuffer可能多达4KB（有论文指出，rowbuffer是一页大小），多次内存请求均可命中同一rowbuffer。一个chip中包含多个bank，但是一个bank只有一个矩阵。
访存过程
物理地址 - MMU --> CPU – DMI 总线 --> 北桥（内存控制器） – 解析数据（地址）–> Channel、DIMM、Rank(Side)、Chip、Bank、Row/Column …
Channel
意味着在北桥（CPU外核）存在 Channel 个内存控制器，每个内存控制器控制一个内存通道，理论上内存带宽增加一倍。
DIMM
Dual in-line memory module
双面 RANK 条，与 SIMM 区别。
Rank(Side物理 bank)
CPU 与内存之间的接口位宽是 64 位，意味着 CPU 在一个周期内会与内存交互 64 bit 的数据，但是 单个内存颗粒（Chip） 的位宽不足 64 bit，大多只有 4bit、8bit 和 16bit，需要将多个内存颗粒并联起来，组成一个位宽为 64bit的数据集合，该集合称为 Physical Bank(RANK)。
RANK 其实是一组内存颗粒位宽的集合，也可以叫 Chips，在 PCB上，往往把一面上的内存颗粒组成一个 RANK，另一面为另一个 RANK，这样的 RANK 也可称为 Side。
RANK 由多个 chips 连接到同一个片选信号组成，北桥（内存控制器）能够对同一个 RANK 的所有 chips 同时进行读写操作（一次性能够处理 64 位数据）。
要准确知道内存条实际物理BANK数量，我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK，如果是128就是双物理BANK。
Chip
存储芯片（内存颗粒），提供存储功能，Chip 里面包含多个 Bank。
一个 RANK 由多个 chips 组成 64bit，即由多个 chips 中的 bank 并联成 64bit 数据？？。
芯片逻辑BANK位宽目前的工艺水平只能最多做到16位，因此大家看到几乎所有的芯片逻辑BANK位宽只可能4/8/16三者之一。
Bank（逻辑 bank）
Bank 由很多的 Cell 组成，由行列确定一个 Cell。
具有两个逻辑 bank 的 32Mbit 芯片：K4S160822DT（1M(cell 个数) x 8Bit(cell 大小、芯片位宽) x 2 BANK）
物理 bank (RANK)与逻辑 bank：
对于64Mbit 逻辑 bank (4M*16) 来说，逻辑 bank 带宽 16bit，8颗逻辑 bank 带宽=16＊8=128bit（即两个RANK），4 颗逻辑 bank 带宽=16＊4=64bit（即一个RANK）。两个物理BANK（两个 RANK）的情况只有出现在位宽超出了 64 位的情况下（即位宽出现了富余），由于芯片组（逻辑 bank组，RANK）任一时刻只能处理一个64位，所以才分成两个物理BANK（两个 RANK）。
Row/Column
物理地址中的 cell 位数，单位应该是 bit，2**3：表示一个 cell 大小为 8bit。